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IPB042N10N3 G E8187 /MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
IPB042N10N3 G E8187的规格信息
IPB042N10N3 G E8187的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:3.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:117 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:214 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:73 S

下降时间:14 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:59 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:48 ns

典型接通延迟时间:27 ns

零件号别名:IPB042N10N3GE8187ATMA1 IPB42N1N3GE8187XT SP000939332

单位重量:2.200 g

供应商IPB042N10N3 G E8187
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”13725596657“17503034873		曾先生Email:1153689911@qq.com询价
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